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生产冷库门铰链所述第1插塞修立正在所述多个电

文章出处:未知 人气:183发表时间:2025-04-26 14:44

本文由:猫先生提供

  金融界2025年3月19日音讯,邦度学问产权局音信显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装备及其创修技巧”的专利,公然号 CN 119627015 A,申请日期为2024年8月。

  专利摘要显示,推行式样供应一种半导体装备及其创修技巧,其能正在电极层上恰当地造成接触插塞。推行式样的半导体装备具备第1积层膜与第1插塞。所述第1积层膜具有正在第1目标上瓜代积层的众个第1绝缘膜及众个电极层。所述第1插塞创立正在所述众个电极层中的最高位的第1电极层上,正在所述第1目标延长。所述第1插塞的下端的核心部具有凹形式。